深圳市惠新晨電子有限公司
型號:HC018N10L參數：100V39A ，類型：N溝道結MOS場效應管，內阻22毫歐， 低結電容1000pF， 封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內阻，低結電容,低開啟電壓，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
HC018N10L是一款專門為電弧機應用于市場設計開發的一款結MOS管，低開啟電壓 低內阻，特別適合應用于電弧機，其特點是打火猛、溫度低、打火時間長、火花四射
惠新晨電子的宗旨是提供高品質高性能中低壓MOS管產品，質量放在*位，價格第二
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電弧UBS插口充電點火機結MOS管100V39A
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不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
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跟雙性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時*要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用于驅動的NMOS，導通時需要是柵電壓大于源電壓。而驅動的MOS管導通時源電壓與漏電壓（VCC）相同，所以這時柵電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。
MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。
